제품과 서비스

PillarHall 테스트 칩

PillarHall 테스트 칩

PillarHall Lateral High Aspect Ratio (LHAR) 실리콘 테스트 칩은 ALD 및 CVD 박막 특성화를 위한 Lateral High Aspect Ratio 테스트 구조를 포함하고 있습니다. 이 칩은 깊은 트렌치 내 ALD thin film 박막 특성을 (conformality & step-coverage) 분석하는 test chip으로  사용됩니다.

장점

  • 정확하고 신속하며 간편한 측정
  • 비파괴 분석 가능 / 단면 절단 및 파괴적 샘플링 불필요
  • 초고종횡비 구조 (>10,000)
  • 기존 실험실 장비를 통한 간단한 측정
  • 다양한 조건(온도, 압력)에 대한 높은 호환성

응용 분야

  • ALD/CVD에서의 conformality & step-coverage 분석 평가
  • 측벽 박막 특성 분석
  • 플라즈마 강화 ALD/CVD 개발
  • ALD/ALE의 동력학적 모델링
  • 품질 관리 및 보증
  • 공정 간 비교
  • 웨이퍼 레벨 conformality & step-coverage 분석

1. 박막 증착

2. 상부 막 제거

3. 측정

4. 분석

Chipmetrics VHAR1

Chipmetrics Vertical High Aspect Ratio (VHAR1) 실리콘 테스트 칩은 고종횡비 수직 홀 배열로 구성되어 있습니다. 이 홀은 칩 전체 영역(15 × 15 mm)에 걸쳐 직경 1 µm와 깊이 200 µm의 일정한 종횡비 (200:1)를 갖고 있습니다.

Pocket Wafer

Chipmetrics의 Pocket Wafer는 웨이퍼 레벨 공정에서 Chipmetrics 테스트 칩을 보다 쉽게 사용할 수 있도록 설계되었습니다. 포켓 웨이퍼는 에칭된 포켓을 포함하며, 여러 개의 15×15 mm 테스트 칩을 수용할 수 있도록 설계되었습니다.

Measurement service

측정 서비스

Chipmetrics 3D 계측 서비스

Chipmetrics 패터닝 서비스: Area Selective Deposition (ASD)

Chipmetrics ASD-1 테스트 칩은 실리콘 기판의 평면 표면에 교차된 소재로 구성된 고해상도 좁은 선형 구조를 특징으로 합니다.

이 칩은 ALD 또는 CVD 공정을 통해 자기 정렬 면적 선택적 증착을 특성화 하도록 설계되었습니다.

  • 서브 20nm CD 피처를 포함한 박막 스택
    ASD 공정을 개발하기 위해 좁은 선폭 패턴 테스트 구조에 접근하는 것은 필수적입니다.
  • 고객 맞춤형 서브 20nm 테스트 구조
    Chipmetrics의 패터닝 서비스는 고객이 서브 20nm 테스트 구조 피처를 정의하고 활용할 수 있도록 지원합니다.
  • 독창적인 서브 20nm 패터닝 프로세스
    Chipmetrics는 어떤 박막 스택에서도 서브 20nm 선을 패터닝할 수 있는 독창적인 공정을 제공합니다. 이 공정은 소형 CD 피처 패터닝에 대해 간단하고 빠른 접근성을 제공하며, 대부분의 소재(유전체, 금속, 금속 나이트라이드, 고유전율)에 사용할 수 있습니다.

Chipmetrics

  • 전세계 지사 및 대리점
  • 현재 저희는 일본, 한국, 대만, 싱가포르 및 미국에 지사 및 대리점이 있습니다.

Qualified operations

ISO 9001:2015 compliant. IC cleanliness certified
Country of origin: Finland, EU
Registered exporter FIREX31010316